全球首次超300层！SK海力士官宣量产321层QLC NAND闪存

摘要： 8月25日消息，SK海力士宣布，已完成开发并开始量产其321层2Tb QLC NAND闪存产品。这也是全球首次使用QLC技术实现超过300层的NAND闪存，SK海力士计划在明年上...

8月25日消息，SK海力士宣布，已完成开发并开始量产其321层2Tb QLC NAND闪存产品。

这也是全球首次使用QLC技术实现超过300层的NAND闪存，SK海力士计划在明年上半年完成全球客户验证后正式推出该产品。

为了最大化新产品的成本竞争力，SK海力士开发了一款容量为2Tb的设备，其容量是现有解决方案的两倍。

为解决大容量NAND可能出现的性能下降问题，公司还将芯片内独立操作单元（平面）的数量从4个增加到6个，从而实现更大的并行处理能力，明显提升了同时读取性能。

因此与之前的QLC产品相比，321层QLC NAND在容量和性能上都有明显提升，数据传输速度翻倍，写入性能提高了56%，读取性能提高了18%，此外写入功耗效率也提高了23%以上。

SK海力士计划首先将321层NAND应用于PC SSD，然后扩展到数据中心的企业级SSD和智能手机的UFS。

此外SK海力士也将基于堆叠32个NAND闪存的封装技术，达到比现有高出一倍的集成度，进入面向AI服务器的超高容量eSSD市场。